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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH2N150L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 2A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥161.857604 +10：￥148.713959 +30：￥142.566181 +120：￥125.606639	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15欧姆 1A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 8.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 20 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH2N150L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 2A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥82.790105 +10：￥76.093673 +100：￥64.268034 +500：￥57.170761 +1000：￥52.439383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15欧姆 1A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 8.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 20 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH2N150L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 2A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥202.526534 +10：￥186.145286 +100：￥157.21664 +500：￥139.854829 +1000：￥128.280625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15欧姆 1A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 8.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 20 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH2N150L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 2A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥240.764707 +10：￥221.278947 +30：￥214.178206 +120：￥186.766037 +270：￥174.546156	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15欧姆 1A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 8.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 20 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 290W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXTH2N150L参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Linear
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15欧姆 1A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	8.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	72 nC 20 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1470 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	290W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）