IPS70R1K4P7SAKMA1厂家价格_数据手册

搜索 IPS70R1K4P7SAKMA1 共 10 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.296 +10：￥18.1016 +30：￥14.9072 +100：￥13.31 +500：￥12.2452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.375288 +10：￥9.758052 +30：￥8.862016 +100：￥7.856707 +500：￥7.408689	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.104553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册未分类	+1：￥2.390449 +50：￥1.97307 +750：￥1.821717 +1500：￥1.696924 +9000：￥1.670153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.576939 +10：￥6.627964 +100：￥4.690352 +500：￥3.727971 +1000：￥2.984791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.726566	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.315557 +10：￥9.121124 +100：￥6.98879 +500：￥5.524252 +1000：￥4.419402	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册未分类	+1：￥8.573762 +75：￥7.041917 +150：￥5.110963 +525：￥4.270877 +1050：￥3.634705	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.4Ohm @ 700mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 40µA Supplier Device Package： PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 158 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册未分类	+1：￥9.632358 +10：￥3.722335 +100：￥3.640707 +500：￥3.608054 +1000：￥3.575401	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPS70R1K4P7SAKMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 700mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	158 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	22.7W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO251-3
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册未分类	+1：￥2.390449 +50：￥1.97307 +750：￥1.821717 +1500：￥1.696924 +9000：￥1.670153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.576939 +10：￥6.627964 +100：￥4.690352 +500：￥3.727971 +1000：￥2.984791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.726566	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 158 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22.7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）