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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.350563 +10：￥1.242518 +30：￥1.220909 +100：￥1.156082	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.466325 +30：￥1.413956 +100：￥1.361588 +500：￥1.25685 +1000：￥1.204481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.288845 +300：￥2.90037 +1000：￥2.128995 +4000：￥1.54275 +8000：￥1.465673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.60083	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF8736TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF8736TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.980928 +200：￥1.901631 +500：￥1.854168 +4000：￥1.822449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+12000：￥1.438465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF8736TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF8736TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+6：￥1.876742 +4000：￥1.726598 +12000：￥1.651468 +16000：￥1.576454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.798111 +10：￥6.836691 +100：￥5.247741 +250：￥5.194364 +500：￥4.075142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.767339 +8000：￥4.642913 +12000：￥4.559962 +16000：￥4.118581 +20000：￥3.899301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.628638 +8000：￥1.516292 +12000：￥1.460173 +28000：￥1.404	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF8736TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.8 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2315 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF8736TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF8736TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.980928 +200：￥1.901631 +500：￥1.854168 +4000：￥1.822449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+12000：￥1.438465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF8736TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF8736TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+6：￥1.876742 +4000：￥1.726598 +12000：￥1.651468 +16000：￥1.576454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.798111 +10：￥6.836691 +100：￥5.247741 +250：￥5.194364 +500：￥4.075142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF8736TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.767339 +8000：￥4.642913 +12000：￥4.559962 +16000：￥4.118581 +20000：￥3.899301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）