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	IPB25N06S3L-22 授权代理品牌	IPB25N06S3L-22 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.132374 +20：￥4.026335 +50：￥3.885105 +800：￥3.849798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IPB25N06S3L-22 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.3 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 20µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB25N06S3L-22 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.3 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 20µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IPB25N06S3L-22 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.3 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 20µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPB25N06S3L-22参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	21.3 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2260 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）