品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ P7

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 400 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 130 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 17.6W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO251-3-347

封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ P7

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 400 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 130 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 17.6W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO251-3-347

封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ P7

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 400 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 130 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 17.6W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO251-3-347

封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ P7

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 400 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 130 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 17.6W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO251-3-347

封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ P7

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 400 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 130 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 17.6W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO251-3-347

封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak

温度： -40°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tube

Package / Case： TO-251-3 Stub Leads, IPak

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2Ohm @ 500mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 17.6W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 30µA

Supplier Device Package： PG-TO251-3-347

Part Status： Not For New Designs

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 700 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.8 nC @ 400 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 130 pF @ 400 V

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ P7

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 400 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 130 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 17.6W（Tc）

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO251-3-347

封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak

温度： -40°C # 150°C（TJ）