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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLL2705PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册	+1：￥4.294417 +10：￥3.595072 +30：￥3.245399 +80：￥2.895727 +480：￥2.688108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLL2705PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLL2705PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+445：￥1.644613	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
	IRLL2705PBF International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册	+1：￥6.85047	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： International Rectifier 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40mOhm 3.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta) 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 温度： -55°C ~ 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLL2705PBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.83759	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： International Rectifier 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40mOhm 3.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	IRLL2705PBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+445：￥2.841886	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件,管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLL2705PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLL2705PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

IRLL2705PBF参数规格

属性	参数值
系列:	HEXFET®
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装:	SOT-223