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	IRF9383MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.595641 +10：￥21.06368 +30：￥17.553107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7305 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），113W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF9383MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥7.572598 +200：￥2.930312 +500：￥2.825283 +1000：￥2.783271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7305 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），113W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRF9383MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.72356	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7305 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），113W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF9383MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥7.614906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7305 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），113W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9383MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥18.628077	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7305 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），113W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF9383MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.96681 +10：￥32.326016 +100：￥23.452807 +500：￥19.54462 +1000：￥18.627925	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX
IRF9383MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.96681 +10：￥32.326016 +100：￥23.452807 +500：￥19.54462 +1000：￥18.627925	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX

Mouser

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	IRF9383MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥46.707504 +10：￥41.377519 +100：￥33.943591 +500：￥28.052556 +1000：￥23.844671	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Ta），160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7305 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），113W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9383MTRPBF 授权代理品牌	IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com 下载数据手册未分类	+1：￥33.544408 +10：￥31.132718 +25：￥30.926371 +100：￥26.412514 +250：￥26.219062	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF9383MTRPBF 授权代理品牌	IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com 下载数据手册未分类	+4800：￥18.284991	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF9383MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Ta），160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.9 毫欧 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	130 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7305 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta），113W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MX
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MX
温度:	-40°C # 150°C（TJ）