品牌： Infineon Technologies

包装： 管件,管件

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Digi-Key 停止提供

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2315 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.8mOhm @ 18A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.35V @ 50µA

Supplier Device Package： 8-SO

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 26 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2315 pF @ 15 V