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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7914TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.424048 +8000：￥5.424048 +12000：￥5.424048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFH7914TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥2.476482 +10：￥2.045022 +30：￥1.860066	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH7914TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.20166	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH7914TRPBF International 授权代理品牌	IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	+1627：￥1.758519 +8131：￥1.723886	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.7mOhm @ 14A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.35V @ 25µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1160 pF @ 15 V
IRFH7914TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH7914TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.287631 +5000：￥4.037521 +15000：￥3.930329 +20000：￥3.751677	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH7914TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN 下载数据手册未分类	+22：￥6.602044 +100：￥5.370076 +500：￥4.245136 +1000：￥3.240748 +2500：￥3.106904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH7914TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.107616 +8000：￥1.962248 +12000：￥1.895868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH7914TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.641954 +8000：￥3.39076 +12000：￥3.276053	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH7914TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.470071 +10：￥8.286312 +100：￥6.354418 +500：￥5.0234 +1000：￥4.018625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
IRFH7914TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.470071 +10：￥8.286312 +100：￥6.354418 +500：￥5.0234 +1000：￥4.018625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

IRFH7914TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.7 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1160 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）