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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 2A TO251 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.482324	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 196 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 2A TO251 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.474232 +10：￥7.591792 +100：￥5.921457 +500：￥4.891523 +1000：￥3.861799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 196 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 2A TO251 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.643445 +10：￥13.118591 +100：￥10.232258 +500：￥8.452536 +1000：￥6.673176	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 196 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 2A TO251 下载数据手册晶体管	+1：￥15.591731 +10：￥9.874762 +100：￥8.457333 +500：￥7.764368 +1000：￥6.70917	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 196 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPU95R3K7P7AKMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥11.28196 +10：￥10.79327 +100：￥9.596917	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPU95R3K7P7AKMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.7 欧姆 800mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	196 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	22W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO251-3
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）