IXTA10P15T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA10P15T 授权代理品牌	P沟道耐压:150V 电流:10A 下载数据手册未分类	+1：￥28.006593 +200：￥10.839852 +500：￥10.457397 +1000：￥10.271634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 150V 连续漏极电流(Id)： 10A 功率(Pd)： 83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 350mΩ@5A,10V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA10P15T Zilog 授权代理品牌	IXTA10P15T 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA10P15T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	DISCMSFT PCHAN-TRENCH GATE TO-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥47.705915	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA10P15T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	DISCMSFT PCHAN-TRENCH GATE TO-26 下载数据手册晶体管	+1：￥67.594452 +10：￥56.655254 +50：￥53.553093 +100：￥45.879326 +250：￥43.26698	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXTA10P15T参数规格

属性	参数值
类型:	P沟道
漏源电压(Vdss):	150V
连续漏极电流(Id):	10A
功率(Pd):	83W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):	350mΩ@5A,10V