IRFTS9342TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.85923 +100：￥1.93358 +800：￥1.41933 +3000：￥1.0285 +6000：￥0.977075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.320296 +50：￥1.861898 +150：￥1.665535 +500：￥1.420327 +3000：￥1.311272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.676092	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFTS9342TRPBF 授权代理品牌	IRFTS9342TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.81682 +25：￥0.796446 +50：￥0.775956 +100：￥0.755582 +150：￥0.741922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.234028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.795477 +100：￥1.438928 +750：￥1.286122 +1500：￥1.208445 +3000：￥1.151142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥1.625538 +500：￥1.557585 +1000：￥1.517647 +3000：￥1.478171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFTS9342TRPBF 授权代理品牌	IRFTS9342TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.513986 +6000：￥0.487592 +9000：￥0.461893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.300347	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.180993	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFTS9342TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	595 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-TSOP
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFTS9342TRPBF 授权代理品牌	IRFTS9342TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.81682 +25：￥0.796446 +50：￥0.775956 +100：￥0.755582 +150：￥0.741922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.234028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.795477 +100：￥1.438928 +750：￥1.286122 +1500：￥1.208445 +3000：￥1.151142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFTS9342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥1.625538 +500：￥1.557585 +1000：￥1.517647 +3000：￥1.478171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 595 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFTS9342TRPBF 授权代理品牌	IRFTS9342TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.513986 +6000：￥0.487592 +9000：￥0.461893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数