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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFN90N85X_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥314.581827

+10:

¥295.487296

+100:

¥264.987254

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 850 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 41mOhm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 340 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1200W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

供应商器件封装: SOT-227B

封装/外壳: SOT-227-4, miniBLOC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFN90N85X_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥769.550503

+10:

¥722.840221

+100:

¥648.229036

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 850 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 41mOhm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 340 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1200W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

供应商器件封装: SOT-227B

封装/外壳: SOT-227-4, miniBLOC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFN90N85X_null
授权代理品牌

850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

+1:

¥909.878097

+10:

¥854.574364

+30:

¥827.087092

+100:

¥754.336348

+250:

¥728.330424

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 850 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 41mOhm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 340 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1200W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

供应商器件封装: SOT-227B

封装/外壳: SOT-227-4, miniBLOC

温度: -55°C # 150°C (TJ)

IXFN90N85X参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Ultra X
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 850 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 41mOhm 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 340 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13300 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1200W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Chassis Mount
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4, miniBLOC
温度: -55°C # 150°C (TJ)