IXFK120N20P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK120N20P 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥67.071583 +200：￥25.963194 +500：￥25.045303 +1000：￥24.597285	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥74.849265 +10：￥68.806949 +100：￥58.11166 +500：￥51.694154 +1000：￥47.416039	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥183.101135 +10：￥168.320028 +100：￥142.156517 +500：￥126.457598 +1000：￥115.992194	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA 下载数据手册未分类	+1：￥198.331564 +10：￥182.061082 +25：￥174.627155 +100：￥153.868264	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK120N20P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264 下载数据手册未分类	+25：￥113.54011 +50：￥112.497305 +100：￥102.483863 +500：￥92.256836	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFK120N20P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	152 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	714W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264AA（IXFK）
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）