IRFHM8326TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHM8326TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.246849 +200：￥1.872354 +500：￥1.497859 +1000：￥1.248236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2496 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHM8326TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.343968 +200：￥2.454001 +500：￥2.368272 +1000：￥2.325407	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2496 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFHM8326TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.384668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2496 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFHM8326TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2496 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFHM8326TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2496 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFHM8326TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： -
IRFHM8326TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHM8326TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 25A PQFN 下载数据手册晶体管	+1：￥10.539572 +10：￥8.814914 +100：￥6.770877 +500：￥5.349631 +1000：￥4.567147	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2496 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHM8326TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥2.168109 +8000：￥2.147871	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFHM8326TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.7 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	39 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2496 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），37W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	-
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）