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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR8103TRR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR8103TRR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.331689 +2500：￥2.195783 +7500：￥2.098543 +12500：￥2.040314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR8103TRR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 89A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR8103TRR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 89A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 89A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -

IRLR8103TRR参数规格

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