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自营现货库存

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	IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥136.743857 +30：￥131.050749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥158.494028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥238.046765 +30：￥146.739462 +120：￥130.262832	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -
	IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SILICON CARBIDE MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册未分类	+1：￥248.080083 +10：￥247.914254 +25：￥155.38171 +100：￥141.28625 +240：￥141.120421	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥128.418859	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW65R027M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 47A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥127.271871 +5：￥104.847176 +10：￥82.409803 +50：￥80.83792 +100：￥79.240684	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW65R027M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥105.80425 +10：￥104.833569	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW65R027M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 47A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥142.883289 +5：￥117.694023 +10：￥92.504755 +50：￥90.73731 +100：￥88.957151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW65R027M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 47 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+1：￥147.910293 +5：￥144.942029 +10：￥142.047359 +15：￥139.189485 +20：￥136.429737	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IMW65R027M1HXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	-
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
供应商器件封装:	-
封装/外壳:	-
温度:	-