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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7607TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.03384 +10：￥12.02256 +30：￥10.0188	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7607TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 下载数据手册	+1：￥10.142204 +200：￥3.92533 +500：￥3.787413 +1000：￥3.723759	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7607TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.852761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7607TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7607TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7607TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： Micro8™
IRF7607TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： Micro8™
IRF7607TRPBF International 授权代理品牌	IRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POW 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 30mOhm @ 6.5A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.2V @ 250µA Supplier Device Package： Micro8™ Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1310 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7607TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro8™ 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7607TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 8-Pin Micro T/R 下载数据手册未分类	+1：￥3.046912	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7607TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1310 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.8W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro8™
封装/外壳:	8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）