IRFL024NTRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL024NTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.181043 +200：￥4.179945 +800：￥3.068318 +2500：￥2.223375 +5000：￥2.112176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL024NTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥4.922575 +10：￥4.222381 +30：￥3.872284 +100：￥3.617668 +500：￥3.363052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL024NTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.158156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFL024NTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.530761 +5000：￥3.344954 +12500：￥3.097211 +25000：￥3.0666	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFL024NTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.254755 +10：￥8.058757 +100：￥5.575636 +500：￥4.658133 +1000：￥3.964454	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
IRFL024NTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.254755 +10：￥8.058757 +100：￥5.575636 +500：￥4.658133 +1000：￥3.964454	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL024NTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥10.434163 +10：￥9.113589 +100：￥6.374622 +500：￥5.347509 +1000：￥4.467127	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFL024NTRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥9.666314 +10：￥8.302317 +25：￥8.268062 +100：￥5.823456 +250：￥5.764286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFL024NTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	75 毫欧 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）