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IXTK100N25P_未分类
IXTK100N25P
授权代理品牌
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¥65.607329

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¥25.394975

+500:

¥24.498939

+1000:

¥24.061849

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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IXTK100N25P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥67.297757

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¥56.838834

+500:

¥50.56226

+1000:

¥46.377749

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 27 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 185 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264(IXTK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXTK100N25P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥222.136186

+25:

¥138.691308

+100:

¥118.881107

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 27 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 185 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264(IXTK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXTK100N25P_未分类
IXTK100N25P
授权代理品牌

MOSFET N-CH 250V 100A TO264

未分类

+300:

¥137.140527

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 27 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 185 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 600W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264(IXTK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXTK100N25P_未分类
IXTK100N25P
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264

未分类

+300:

¥143.231062

+500:

¥141.80711

+1000:

¥140.383157

+2000:

¥138.974682

+2500:

¥137.597162

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTK100N25P参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: Polar
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 27 毫欧 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 185 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 600W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264(IXTK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)