IRLML2030TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.554668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.56816 +200：￥1.060565 +800：￥0.778514 +3000：￥0.564102 +6000：￥0.535909	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLML2030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLML2030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.782628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.666875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML2030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.631351	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML2030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.700702 +10：￥4.642001 +100：￥3.16389 +500：￥2.37285 +1000：￥1.779571	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： Micro3™/SOT-23
IRLML2030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.700702 +10：￥4.642001 +100：￥3.16389 +500：￥2.37285 +1000：￥1.779571	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： Micro3™/SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2030TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥6.96484 +10：￥4.44423 +100：￥2.172368 +1000：￥1.741209 +3000：￥1.492466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML2030TRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥4.405086 +10：￥3.512522 +25：￥1.82726	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLML2030TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	110 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）