IXFX160N30T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFX160N30T 授权代理品牌	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：300V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：1.39kW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19mΩ@60A,10V 下载数据手册未分类	+1：￥99.219612 +200：￥38.398427 +500：￥37.054373 +1000：￥36.387809	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 300V 连续漏极电流(Id)： 160A 功率(Pd)： 1.39kW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 19mΩ@60A,10V

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFX160N30T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥110.756126 +30：￥72.899357 +120：￥70.766786	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 335 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFX160N30T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥270.938832 +30：￥178.331145 +120：￥173.114309	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 335 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFX160N30T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3 下载数据手册未分类	+1：￥318.225721 +10：￥280.416725 +30：￥272.788594 +60：￥257.698162 +120：￥242.4419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 335 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PLUS247™-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFX160N30T Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 下载数据手册未分类	+300：￥265.938634 +500：￥263.539583 +1000：￥261.125055 +2000：￥258.695048 +2500：￥256.28052	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFX160N30T Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs 160A 300V 下载数据手册未分类	+30：￥118.181349 +60：￥115.873903 +120：￥113.566458	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFX160N30T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	19 毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	335 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	28000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1390W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PLUS247™-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）