IRFP4229PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFP4229PBF 共 17 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.800401 +10：￥14.115197	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.689248 +5：￥23.458875 +15：￥17.219873 +25：￥12.478125 +50：￥11.854249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.751278	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.402606	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.315205 +100：￥11.014802 +500：￥10.914667 +1000：￥10.814533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥12.016148 +200：￥11.815879 +300：￥11.515475 +500：￥11.315205	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥15.697395 +500：￥15.435772 +1000：￥15.304961 +3000：￥15.043337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFP4229PBF 授权代理品牌	IRFP4229PBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+25：￥14.863905 +50：￥14.616173 +75：￥14.368442 +100：￥14.12071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.434664 +10：￥27.355601 +100：￥22.413083 +500：￥19.079864 +1000：￥16.091395	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
	IRFP4229PBF International 授权代理品牌	IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册	+1：￥30.434664 +10：￥27.355601 +100：￥22.413083 +500：￥19.079864 +1000：￥16.091395	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46mOhm 26A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W (Tc) 工作温度： -40°C ~ 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C ~ 175°C (TJ)

IRFP4229PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	46 毫欧 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4560 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310W（Tc）
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-40°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.402606	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.315205 +100：￥11.014802 +500：￥10.914667 +1000：￥10.814533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥12.016148 +200：￥11.815879 +300：￥11.515475 +500：￥11.315205	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFP4229PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥15.697395 +500：￥15.435772 +1000：￥15.304961 +3000：￥15.043337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 46 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFP4229PBF 授权代理品牌	IRFP4229PBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+25：￥14.863905 +50：￥14.616173 +75：￥14.368442 +100：￥14.12071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数