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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR3636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.411268 +200：￥8.534493 +500：￥6.616643 +2000：￥4.794625 +4000：￥4.554924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR3636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.512653 +10：￥5.463635 +30：￥4.88449 +100：￥4.239781 +500：￥3.944744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR3636TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR3636TRPBF 下载数据手册未分类	+1：￥6.971598 +10：￥5.813308 +30：￥5.234162 +100：￥4.665944 +500：￥3.769908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR3636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.105867 +10：￥21.056849 +30：￥20.423068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR3636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.320554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR3636TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR3636TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥6.385493 +20：￥6.006751 +100：￥5.898453 +500：￥5.790154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR3636TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLR3636TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥3.085358 +1000：￥2.967842 +2000：￥2.852388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR3636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥10.8187 +500：￥10.280118 +1000：￥10.016467 +3000：￥9.755968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR3636TRPBF 授权代理品牌	IRLR3636TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥6.493791 +50：￥6.160649 +2500：￥5.99426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR3636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥5.379795 +6000：￥5.177525 +10000：￥5.006131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRLR3636TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.8 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	49 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3779 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	143W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR3636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.512653 +10：￥5.463635 +30：￥4.88449 +100：￥4.239781 +500：￥3.944744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR3636TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR3636TRPBF 下载数据手册未分类	+1：￥6.971598 +10：￥5.813308 +30：￥5.234162 +100：￥4.665944 +500：￥3.769908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR3636TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.105867 +10：￥21.056849 +30：￥20.423068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3779 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）