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	IXFK64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥77.867726 +10：￥68.306365 +25：￥62.48213 +100：￥57.59764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXFK64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥75.8912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXFK64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA 下载数据手册未分类	+250：￥59.476656	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFK64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA 下载数据手册未分类	+10：￥133.345687 +100：￥112.612814 +500：￥100.17805 +1000：￥94.212269	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IXFK64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥100.644146 +10：￥92.499436 +100：￥78.121861 +500：￥69.494867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXFK64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥246.202248 +10：￥226.278129 +100：￥191.106772 +500：￥170.002858	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFK64N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA 下载数据手册未分类	+1：￥279.069909 +10：￥262.2506 +25：￥222.733388 +100：￥212.445848 +250：￥205.750781	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IXFK64N50P Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 下载数据手册未分类	+300：￥191.108653 +500：￥172.035218 +1000：￥165.032788 +2000：￥163.379653 +2500：￥161.757708	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK64N50P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+25：￥123.459017 +50：￥110.163431 +100：￥108.264061	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK64N50P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET, N, TO-264 下载数据手册未分类	+1：￥168.916942 +5：￥149.600466 +10：￥130.271959 +50：￥125.713464 +100：￥121.575941	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFK64N50P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	85 毫欧 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	150 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	830W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264AA（IXFK）
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）