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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100Q3 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥93.012922 +210：￥35.994427 +510：￥34.726864 +990：￥34.10401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥238.624558 +8：￥228.811151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.05 欧姆 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 690W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥100.062 +30：￥65.369692 +120：￥62.386594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.05 欧姆 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 690W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥255.487211 +30：￥173.466178 +120：￥170.765969	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.05 欧姆 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 690W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥263.004687 +10：￥257.366504 +30：￥187.386694 +120：￥182.080168	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.05 欧姆 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 690W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100Q3 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+1：￥235.122441 +30：￥172.63878 +120：￥165.998827	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100Q3 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A 下载数据手册未分类	+30：￥124.906075 +120：￥121.013188 +510：￥116.564173	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100Q3 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+5：￥139.194165 +10：￥134.946001 +20：￥131.321984 +50：￥128.206917 +100：￥125.513926	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100Q3 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥218.770447 +10：￥172.305927 +25：￥156.817753	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFH15N100Q3 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 12 下载数据手册未分类	+30：￥100.915128	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH15N100Q3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Q3 Class
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.05 欧姆 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	64 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	690W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）