IPZ65R045C7XKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZ65R045C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥195.951877	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.25mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPZ65R045C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥90.61794 +10：￥83.291045 +100：￥70.345094 +500：￥62.936813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.25mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPZ65R045C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥221.675493 +10：￥203.751964 +100：￥172.08274 +500：￥153.960119	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.25mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPZ65R045C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥175.25393 +30：￥141.904774 +120：￥133.555615 +510：￥121.035012 +1020：￥111.018304	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-4 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 45mOhm @ 24.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 1.25mA Supplier Device Package： PG-TO247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4340 pF @ 400 V

Mouser

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	IPZ65R045C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 46A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥200.177671 +10：￥176.378045 +25：￥171.650724 +50：￥162.033066 +100：￥152.57842	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.25mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPZ65R045C7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥116.534898	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPZ65R045C7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C7系列, Vds=700 V, 46 A, TO-247-4封装, 通孔安装, 4引脚下载数据手册未分类	+5：￥159.583025	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPZ65R045C7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C7系列, Vds=700 V, 46 A, TO-247-4封装, 通孔安装, 4引脚下载数据手册未分类	+1：￥107.688723 +5：￥159.583025	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPZ65R045C7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ C7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 24.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1.25mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	93 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4340 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	227W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 150°C（TJ）