IRLHS2242TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.581414 +10：￥2.194214 +30：￥1.807014 +100：￥1.613414 +500：￥1.484307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta），15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 877 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLHS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥3.983787 +200：￥1.548047 +500：￥1.49392 +1000：￥1.461444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta），15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 877 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLHS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.181388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta），15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 877 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLHS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.342497 +200：￥1.246068 +1000：￥1.1993 +300000：￥1.071845	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta），15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 877 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLHS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥0.991905 +8000：￥0.941501 +12000：￥0.874217 +28000：￥0.854068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta），15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 877 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLHS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.426463 +8000：￥2.303161 +12000：￥2.138568 +28000：￥2.089275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta），15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 877 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.143794 +10：￥6.157951 +100：￥4.277705 +500：￥3.339583 +1000：￥2.714356	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerVDFN 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)
IRLHS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.143794 +10：￥6.157951 +100：￥4.277705 +500：￥3.339583 +1000：￥2.714356	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerVDFN 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)

Mouser

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	IRLHS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 7.2A/15A 6PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥6.533143 +10：￥5.7165 +100：￥4.148547 +500：￥3.4299 +1000：￥2.62959	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.2A（Ta），15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 8.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 877 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），9.6W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLHS2242TRPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, P-CH,-20V, -8.52A 6PQFN 下载数据手册未分类	+5：￥3.917977 +10：￥3.441963 +100：￥2.550955 +500：￥2.111553 +1000：￥1.525693	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLHS2242TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.2A（Ta），15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	31 毫欧 8.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	877 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta），9.6W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-PQFN（2x2）
封装/外壳:	6-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）