IXFH30N85X厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH30N85X 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥69.836183 +10：￥68.787165 +30：￥66.973238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IXFH30N85X Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥150.785399 +210：￥60.165549 +510：￥58.154931 +990：￥57.160549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH30N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥128.440938	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 695W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH30N85X 授权代理品牌	IXFH30N85X 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-247-3

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH30N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥125.302146 +30：￥105.037633	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 695W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH30N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD 下载数据手册未分类	+300：￥120.046518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2460 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 695W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXFH30N85X参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	850 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	220 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	68 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2460 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	695W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）