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自营现货库存

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	IXFH44N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥38.94479 +10：￥37.3057 +30：￥36.300391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 658W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXFH44N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥128.610763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 658W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFH44N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥95.745934 +60：￥92.872967 +120：￥87.24213	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 658W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXFH44N50P Zilog 授权代理品牌	IXFH44N50P 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-247

自营国内现货

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	IXFH44N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.582527 +30：￥53.902644 +120：￥50.731214 +510：￥45.975177 +1020：￥42.170336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 658W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH44N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥162.878502 +30：￥131.86015 +120：￥124.10199 +510：￥112.467465 +1020：￥103.159814	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 658W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFH44N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥186.1946 +10：￥173.944955 +30：￥159.735367 +60：￥153.855538 +120：￥144.709137	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 658W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH44N50P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥90.020458 +25000：￥81.037258	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH44N50P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	140 毫欧 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5440 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	658W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）