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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF640NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.484418 +30：￥1.429844 +100：￥1.320685 +500：￥1.211537 +1000：￥1.156964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF640NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=152mΩ@4.5V TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥4.372846 +10：￥4.036473 +30：￥3.969198 +100：￥3.767375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF640NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.100263 +10：￥2.025844 +100：￥1.847239 +500：￥1.757936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF640NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.676473 +10：￥3.838725 +20：￥2.817848 +50：￥2.041875 +100：￥1.939751	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF640NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.42296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF640NPBF IR 授权代理品牌	下载数据手册	+1：￥1.683836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF640NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF640NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+1000：￥1.612737 +3000：￥1.584689 +5000：￥1.505455	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF640NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF640NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.858869 +300：￥3.698136 +2950：￥3.537297 +4950：￥3.473003 +9850：￥3.215724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF640NPBF International 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+10：￥10.325233 +100：￥7.913128 +500：￥6.269482 +1000：￥5.500186	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF640NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.817327 +10：￥4.946804 +100：￥3.321426 +500：￥2.754827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF640NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	67 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1160 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF640NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.484418 +30：￥1.429844 +100：￥1.320685 +500：￥1.211537 +1000：￥1.156964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF640NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=152mΩ@4.5V TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥4.372846 +10：￥4.036473 +30：￥3.969198 +100：￥3.767375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF640NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.100263 +10：￥2.025844 +100：￥1.847239 +500：￥1.757936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）