IPA60R180P7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA60R180P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥28.477284 +10：￥24.511902 +100：￥20.089461 +500：￥16.83877 +1000：￥14.200209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPA60R180P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥27.774994 +10：￥24.461404 +50：￥17.931869 +100：￥16.859887 +500：￥14.813345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA60R180P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.479045 +10：￥14.820044 +100：￥12.144557 +500：￥10.338299 +1000：￥8.719025	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA60R180P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.31211 +10：￥36.253754 +100：￥29.708804 +500：￥25.290217 +1000：￥21.329044	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPA60R180P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥36.861976 +50：￥29.663891 +100：￥24.407488 +500：￥20.652994 +1000：￥17.523727	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 180mOhm @ 5.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 280µA Supplier Device Package： PG-TO220 Full Pack Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1081 pF @ 400 V

Mouser

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	IPA60R180P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥42.138778 +10：￥34.95232 +100：￥27.765861 +250：￥25.642589 +500：￥23.355989	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPA60R180P7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥38.809936 +10：￥34.952814 +100：￥28.758803 +500：￥24.549892 +1000：￥19.737912	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA60R180P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1081 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	26W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）