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	IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.149846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.338648 +10：￥15.211273 +20：￥11.793023 +50：￥8.545625 +100：￥8.118374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥12.194833 +10：￥10.522961 +50：￥8.435852 +100：￥7.36498 +500：￥6.88418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.166456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.805084 +100：￥9.62681 +500：￥9.537673 +1000：￥9.403967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥10.70942 +100：￥10.527905 +150：￥10.346389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥12.733644 +100：￥11.99971 +300：￥11.078471 +500：￥10.169273 +1000：￥10.080831	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7430PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	IRFB7430PBF VISHAY SEMICONDUCTORS 下载数据手册未分类	+30：￥4.750893 +200：￥4.477115 +500：￥4.1333 +1000：￥3.794116 +3000：￥3.761124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.254798 +10：￥19.082987 +100：￥15.635308 +500：￥13.363303	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥51.994869 +10：￥46.682043 +100：￥38.248106 +500：￥32.69018	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFB7430PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.3 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	460 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	14240 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.805084 +100：￥9.62681 +500：￥9.537673 +1000：￥9.403967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥10.70942 +100：￥10.527905 +150：￥10.346389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7430PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 195A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥12.733644 +100：￥11.99971 +300：￥11.078471 +500：￥10.169273 +1000：￥10.080831	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 460 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14240 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7430PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	IRFB7430PBF VISHAY SEMICONDUCTORS 下载数据手册未分类	+30：￥4.750893 +200：￥4.477115 +500：￥4.1333 +1000：￥3.794116 +3000：￥3.761124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数