IPD60R360P7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD60R360P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.845721 +10：￥17.2304 +30：￥14.358707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD60R360P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.545125 +10：￥8.381216 +30：￥8.261016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPD60R360P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.556757	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD60R360P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.725702 +5000：￥3.548324 +12500：￥3.384554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPD60R360P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.114054 +5000：￥8.680139 +12500：￥8.279516	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPD60R360P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.002885 +10：￥18.030938 +100：￥14.021839 +500：￥11.884987 +1000：￥9.681556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD60R360P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.002885 +10：￥18.030938 +100：￥14.021839 +500：￥11.884987 +1000：￥9.681556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD60R360P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥22.539346 +10：￥18.782788 +100：￥14.846571 +500：￥12.755964 +1000：￥10.371365	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥19.681124 +10：￥16.859285 +25：￥16.561345 +100：￥13.631872 +250：￥13.496162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPD60R360P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥10.08843 +10：￥7.994605 +50：￥7.623426 +100：￥6.804932 +200：￥6.547962	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD60R360P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	555 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	41W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）