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IXFH14N85X_未分类
IXFH14N85X
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IXFH14N85X_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥68.192444

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¥66.912407

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 850 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550mOhm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1043 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 460W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-247 (IXTH)

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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IXFH14N85X_晶体管
IXFH14N85X
授权代理品牌

MOSFET N-CH 850V 14A TO247AD

晶体管

+1:

¥98.0049

+30:

¥78.271256

+120:

¥72.467244

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 850 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550mOhm 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1043 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 460W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-247 (IXTH)

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

IXFH14N85X参数规格

属性 参数值