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	IRFI3205PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.790045	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFI3205PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.809208 +10：￥15.98773 +50：￥13.166373 +100：￥11.755755 +500：￥10.815222	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFI3205PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP 下载数据手册未分类	+1：￥21.472613 +10：￥19.202287 +30：￥17.844335 +100：￥16.719781 +500：￥15.966543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFI3205PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.644926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFI3205PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.286 +10：￥8.40375 +30：￥7.87725 +100：￥7.344 +500：￥7.1145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFI3205PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥52.627306 +50：￥26.059696 +100：￥24.138187 +500：￥19.546149 +1000：￥18.121387	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRFI3205PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IRFI3205PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥33.468896 +10：￥28.477331 +100：￥21.889494 +500：￥18.939676 +1000：￥16.421049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFI3205PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	170 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	63W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）