IXTH6N100D2厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH6N100D2 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥94.029158 +210：￥37.524245 +510：￥36.267609 +990：￥35.644755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH6N100D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥81.939504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 3A，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2650 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH6N100D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥127.315689 +10：￥114.964167 +100：￥95.184086 +500：￥82.884686 +1000：￥72.189895	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 3A，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2650 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH6N100D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥176.721541 +10：￥151.405609 +30：￥137.359349 +120：￥126.089676 +270：￥118.73989	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 3A，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2650 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH6N100D2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-247 下载数据手册未分类	+300：￥56.751209 +500：￥56.575315	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH6N100D2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 6A, TO-247 T 下载数据手册未分类	+1：￥99.953928 +5：￥88.837964 +10：￥77.709179 +50：￥76.170637 +100：￥74.619275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH6N100D2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 1KV, 6A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥105.565278 +5：￥93.816981 +10：￥82.068684 +50：￥80.435293 +100：￥78.789808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH6N100D2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Depletion
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 欧姆 3A，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2650 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）