IPC100N04S51R2ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.732281 +200：￥9.776921 +500：￥7.82144 +1000：￥6.517907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.041852 +200：￥4.665944 +500：￥4.502035 +1000：￥4.414617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.542748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥17.174403	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.970705 +10：￥35.005741 +100：￥28.139023 +500：￥23.11927 +1000：￥19.156071	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-34
IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.970705 +10：￥35.005741 +100：￥28.139023 +500：￥23.11927 +1000：￥19.156071	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-34

Mouser

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	IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册	+1：￥39.921078 +10：￥31.936863 +100：￥26.396795 +250：￥24.278536 +500：￥21.997329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPC100N04S51R2ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥19.203815	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, AUTO, N-CH, 150V, 114A, TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥27.454473 +10：￥22.808149 +100：￥18.161816 +500：￥15.366756 +1000：￥13.031491	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPC100N04S51R2ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.4V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	131 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7650 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-34
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）