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IRLZ44PBF_未分类
IRLZ44PBF
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¥3.256326

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¥2.644399

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¥2.229163

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¥1.912272

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¥1.75929

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRLZ44PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRLZ44PBF
授权代理品牌
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¥8.424925

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¥8.271943

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 31A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 66 nC 5 V

Vgs(最大值): ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IRLZ44PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥17.432411

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¥12.605776

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¥10.357052

+1000:

¥8.877499

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 31A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 66 nC 5 V

Vgs(最大值): ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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IRLZ44PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥42.644294

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¥30.837068

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¥25.336094

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¥21.716715

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 31A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 66 nC 5 V

Vgs(最大值): ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IRLZ44PBF_晶体管
IRLZ44PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

晶体管

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¥39.341879

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¥35.243766

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¥28.413579

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¥24.998486

+1000:

¥19.807544

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 31A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 66 nC 5 V

Vgs(最大值): ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRLZ44PBF_未分类
IRLZ44PBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

未分类

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¥20.103324

+2000:

¥18.304308

库存: 0

货期:7~10 天

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IRLZ44PBF_未分类
IRLZ44PBF
授权代理品牌

MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp

未分类

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¥12.691595

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¥12.480067

+200:

¥11.633961

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¥11.422434

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¥10.25904

库存: 0

货期:7~10 天

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IRLZ44PBF_未分类
IRLZ44PBF
授权代理品牌

威世 MOS管, IRLZ44PBF

未分类

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¥15.419272

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¥14.957145

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¥14.508794

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IRLZ44PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 31A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 66 nC 5 V
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3300 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)