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搜索 IRFP150PBF 共 16 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP150PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.74552 +10：￥33.16368 +25：￥27.6364	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP150PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.482703 +10：￥20.499559 +25：￥18.718414	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP150PBF 授权代理品牌	IRFP150PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥7.103998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP150PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.332534 +25：￥18.626541 +100：￥15.351387 +500：￥12.728762 +1000：￥11.977735	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP150PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥79.093945 +25：￥45.565455 +100：￥37.553561 +500：￥31.137926 +1000：￥29.300713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP150PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥66.663231 +10：￥64.175797 +25：￥43.61301 +100：￥40.793918 +250：￥37.477338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP150PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 下载数据手册未分类	+1：￥51.246817 +10：￥49.962164 +25：￥34.824929 +500：￥29.376762	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP150PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFETs TO247 100V 41A N-CH MOSFET 下载数据手册未分类	+50：￥22.055223 +100：￥20.937215 +500：￥19.819208 +1000：￥19.412661	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP150PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 11 下载数据手册未分类	+1：￥26.523498 +10：￥18.295404	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFP150PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 12 下载数据手册未分类	+1：￥32.05084 +10：￥31.247391	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFP150PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	230W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）