IPD090N03LGATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD090N03LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.508841 +10：￥7.090721 +30：￥5.67248 +100：￥4.727107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD090N03LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.982835 +10：￥4.130508 +30：￥3.704345 +100：￥3.289108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD090N03LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.60876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD090N03LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 下载数据手册未分类	+730：￥3.401121	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPD090N03LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.418655 +100：￥3.667356 +1250：￥3.336275 +2500：￥3.094332 +37500：￥3.081598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD090N03LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥6.595776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD090N03LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.137015 +5000：￥3.919331 +12500：￥3.629037 +25000：￥3.593158	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD090N03LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.820192 +10：￥9.439194 +100：￥6.531979 +500：￥5.457932 +1000：￥4.645138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD090N03LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.820192 +10：￥9.439194 +100：￥6.531979 +500：￥5.457932 +1000：￥4.645138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD090N03LGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥12.043549 +10：￥10.562517 +100：￥7.372605 +500：￥6.249624 +1000：￥5.321948	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 42W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPD090N03LGATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1600 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	42W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-11
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）