IXTQ52N30P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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搜索 IXTQ52N30P 共 6 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ52N30P 授权代理品牌	N沟道 300V 52A 下载数据手册未分类	+1：￥40.769644 +10：￥35.841446 +30：￥32.825519	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 300V 连续漏极电流(Id)： 52A 功率(Pd)： 400W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 66mΩ@26A,10V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ52N30P Zilog 授权代理品牌	IXTQ52N30P 美国力特下载数据手册未分类	+1：￥148.064921 +10：￥72.533306 +50：￥63.084433 +100：￥56.795054 +500：￥55.537148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ52N30P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 52A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.839851 +10：￥36.91946 +100：￥30.56562 +500：￥26.616248 +1000：￥23.181845	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66mOhm 26A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ52N30P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 52A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥99.905097 +10：￥90.314779 +100：￥74.771606 +500：￥65.110396 +1000：￥56.708935	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66mOhm 26A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ52N30P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 52A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥114.859568 +10：￥103.749397 +30：￥96.397076 +120：￥85.777061 +270：￥72.216116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66mOhm 26A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3490 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ52N30P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 下载数据手册未分类	+300：￥52.718418 +500：￥48.382832	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTQ52N30P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	Polar
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	52A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	66mOhm 26A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3490 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	400W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-3P
封装/外壳:	TO-3P-3, SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C (TJ)