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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDK05G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册二极管整流器	+1：￥20.475136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 19.1A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.8 V 5 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 33 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 301pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-2-1 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDK05G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册二极管整流器	+1000：￥25.69624 +2000：￥25.321226 +5000：￥23.070427 +10000：￥22.507692	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 19.1A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.8 V 5 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 33 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 301pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-2-1 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	IDK05G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册二极管整流器	+1：￥49.728078 +10：￥44.641929 +25：￥42.202278 +100：￥33.761256 +250：￥31.88604	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： - 系列： CoolSiC™+ 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-2-1
	IDK05G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： - 系列： CoolSiC™+ 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-2-1

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDK05G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册未分类	+1：￥65.081928 +10：￥58.489578 +25：￥55.403796 +100：￥47.969869 +250：￥45.44514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 19.1A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.8 V 5 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 33 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 301pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-2-1 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDK05G120C5XTMA1 授权代理品牌	Diode Schottky SiC 1.2KV 19.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥27.163187 +2000：￥26.409352	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IDK05G120C5XTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™+
零件状态:	在售
二极管类型:	碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1200 V
电流 - 平均整流 (Io):	19.1A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.8 V 5 A
速度:	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	33 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容:	301pF 1V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装:	PG-TO263-2-1
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: