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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6616TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.426279 +10：￥17.6176 +30：￥14.681293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Ta), 106A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5mOhm 19A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3765 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

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	IRF6616TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.755885 +10：￥20.849231 +30：￥19.122723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Ta), 106A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5mOhm 19A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3765 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)

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	IRF6616TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.973416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Ta), 106A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5mOhm 19A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3765 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6616TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+34：￥24.909284 +100：￥20.021692 +500：￥16.453705 +1000：￥13.639514 +8000：￥12.696991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Ta), 106A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5mOhm 19A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3765 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)
IRF6616TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.79121 +10：￥24.933949 +100：￥20.041448 +500：￥16.469901 +1000：￥13.653011	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Ta), 106A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5mOhm 19A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3765 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)
IRF6616TRPBF International 授权代理品牌	IRF6616TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+300：￥9.107615 +500：￥9.065708 +1000：￥9.023687 +5000：￥8.897853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6616TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Ta), 106A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5mOhm 19A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3765 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6616TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥16.349222	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A (Ta), 106A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5mOhm 19A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3765 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)
IRF6616TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.103112	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX
IRF6616TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.103112	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX

IRF6616TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19A (Ta), 106A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5mOhm 19A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	44 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3765 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度:	-40°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MX
封装/外壳:	DirectFET™ Isometric MX
温度:	-40°C # 150°C (TJ)