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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8721TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.743814 +10：￥5.732254 +30：￥4.720694 +100：￥4.214914 +500：￥3.877687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8721TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥5.80238 +10：￥4.895417 +30：￥4.436472 +100：￥3.988454 +500：￥3.715272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8721TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.797883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF8721TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 下载数据手册未分类	+10：￥14.053902 +100：￥13.815701 +500：￥13.5775 +1000：￥13.339298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF8721TRPBF 授权代理品牌	IRF8721TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.228704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF8721TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.772165 +200：￥2.702129 +500：￥2.632324 +2535：￥2.329605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF8721TRPBF 授权代理品牌	IRF8721TRPBF JGSEMI/台湾金锆下载数据手册未分类	+3000：￥0.583443 +15000：￥0.573719 +50000：￥0.559133	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8721TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8721TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.780791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8721TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.089632 +8000：￥3.790237 +12000：￥3.667849	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF8721TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.5 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1040 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF8721TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 下载数据手册未分类	+10：￥14.053902 +100：￥13.815701 +500：￥13.5775 +1000：￥13.339298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF8721TRPBF 授权代理品牌	IRF8721TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.228704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF8721TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.772165 +200：￥2.702129 +500：￥2.632324 +2535：￥2.329605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF8721TRPBF 授权代理品牌	IRF8721TRPBF JGSEMI/台湾金锆下载数据手册未分类	+3000：￥0.583443 +15000：￥0.573719 +50000：￥0.559133	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数