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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH150N17T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 175 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 233 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 880W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH150N17T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥84.593929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 175 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 233 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 880W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH150N17T2 授权代理品牌	IXFH150N17T2 下载数据手册未分类	+1：￥35.553254 +25：￥34.185888 +30：￥32.871226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH150N17T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥72.291438 +10：￥65.29826 +100：￥54.061983 +500：￥47.076529 +1000：￥41.416344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 175 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 233 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 880W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH150N17T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥124.919364 +10：￥112.835176 +100：￥93.418927 +500：￥81.348084 +1000：￥71.567304	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 175 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 233 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 880W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH150N17T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥160.220696 +10：￥144.878734 +120：￥119.888734 +270：￥117.358102 +510：￥102.174303	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 175 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 233 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 880W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH150N17T2 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥89.519557	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH150N17T2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, 150A, 175V, 880W, TO-247-3 下载数据手册未分类	+1：￥93.470588 +10：￥80.137792 +100：￥66.779359 +500：￥58.9207 +1000：￥53.036323	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH150N17T2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥100.913161 +10：￥68.787594 +25：￥67.3063	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH150N17T2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, TrenchT2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	175 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	233 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	14600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	880W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）