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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.970708 +10：￥1.901802 +100：￥1.736427 +500：￥1.65374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRF530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.38208 +10：￥3.63968 +20：￥2.67168 +50：￥1.936 +100：￥1.8392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRF530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.49018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF530NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF530NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.452776 +200：￥2.354609 +500：￥2.295802 +1000：￥2.256558	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥2.107225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF530NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+20：￥1.342151 +50：￥1.286237 +150：￥1.263779 +250：￥1.230324 +19700：￥1.17441	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF530NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF530NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.119843 +1000：￥1.996209 +3000：￥1.907882 +14000：￥1.854863	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+63：￥4.639355 +100：￥4.539838 +500：￥4.451855 +1000：￥4.363997 +2000：￥4.23908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.720566	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 920 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 70W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRF530NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	90mOhm 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	37 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	920 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	70W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)