IXFP16N50P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP16N50P Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥46.572025 +200：￥18.587286 +500：￥17.964432 +1000：￥17.658468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFP16N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥39.669242	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFP16N50P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IXFP16N50P VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥8.575263 +1000：￥8.07504 +3000：￥7.860657 +4000：￥7.503355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXFP16N50P 授权代理品牌	IXFP16N50P VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥9.418437 +30：￥9.104489 +100：￥8.712055 +1000：￥8.476593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP16N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.17031 +10：￥23.660742 +100：￥19.14074 +500：￥17.014056 +1000：￥14.568282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP16N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.912042 +10：￥57.880444 +100：￥46.823322 +500：￥41.620889 +1000：￥35.637878	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP16N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥78.776467 +10：￥66.295421 +50：￥53.490194	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP16N50P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥93.115665 +10：￥86.473498 +25：￥81.288901 +50：￥77.168196 +100：￥74.2694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFP16N50P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	400 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	43 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）