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搜索 IRF520 共 16 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF520_未分类
IRF520
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥2.580038

+200：

￥0.998424

+500：

￥0.963348

+1000：

￥0.946083

库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 100V

连续漏极电流(Id)： 9.2A

功率(Pd)： 60W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 270mΩ@5.6A,10V

IRF520_未分类
IRF520
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥2.580038

+200：

￥0.998424

+500：

￥0.963348

+1000：

￥0.946083

库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 100V

连续漏极电流(Id)： 9.2A

功率(Pd)： 60W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 270mΩ@5.5A,10V

IRF520_未分类
IRF520
HARRIS(哈利斯)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

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未分类
+1：

￥2.479842

+200：

￥0.959651

+500：

￥0.925937

+1000：

￥0.909342

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Harris Corporation

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270mOhm 5.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 60W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRF520_未分类
IRF520
null(摩托罗拉)
授权代理品牌
+1：

￥2.580038

+200：

￥0.998424

+500：

￥0.963348

+1000：

￥0.946083

库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 100V

连续漏极电流(Id)： 9.2A

功率(Pd)： 60W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 270mΩ@5.6A,10V

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF520_未分类
IRF520
HARRIS(哈利斯)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

下载数据手册

未分类
+1000：

￥2.610445

+5000：

￥2.574095

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Harris Corporation

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270mOhm 5.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 60W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF520_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF520
Vishay(威世)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 5.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 60W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF520_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF520
ST(意法半导体)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： STripFET™ II

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 60W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF520_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF520
Rochester(罗彻斯特电子)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 60W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRF520_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF520
Rochester(罗彻斯特电子)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Motorola

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270mOhm 5.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 60W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRF520_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF520
Rochester(罗彻斯特电子)
授权代理品牌
+1：

￥4.010956

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270mOhm 5.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 60W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRF520参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: STripFET™ II
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 270 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 460 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 60W（Tc）
工作温度: -55°C # 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 175°C（TJ）