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	IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.783048 +10：￥23.61383 +30：￥22.914485 +100：￥22.204213 +500：￥21.887322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥76.875662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册未分类	+450：￥22.346041	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IXTQ96N20P Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTQ96N20P LITTELFUSE 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥30.819682 +900：￥29.747721 +1350：￥29.211741	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IXTQ96N20P JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IXTQ96N20P JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+10：￥11.57625 +450：￥10.65015 +1350：￥10.46493 +2250：￥10.1871 +2700：￥9.53883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTQ96N20P JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IXTQ96N20P JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+10：￥11.57625 +450：￥10.65015 +1350：￥10.46493 +2250：￥10.1871 +2700：￥9.53883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥25.213073 +6000：￥25.213073 +12000：￥25.213073 +24000：￥25.213073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.837092 +30：￥31.780056 +120：￥29.447866	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥94.39258 +30：￥72.036226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IXTQ96N20P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	96A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	145 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	600W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3P
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥76.875662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册未分类	+450：￥22.346041	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IXTQ96N20P Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTQ96N20P LITTELFUSE 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥30.819682 +900：￥29.747721 +1350：￥29.211741	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IXTQ96N20P JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IXTQ96N20P JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+10：￥11.57625 +450：￥10.65015 +1350：￥10.46493 +2250：￥10.1871 +2700：￥9.53883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTQ96N20P JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IXTQ96N20P JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+10：￥11.57625 +450：￥10.65015 +1350：￥10.46493 +2250：￥10.1871 +2700：￥9.53883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTQ96N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥25.213073 +6000：￥25.213073 +12000：￥25.213073 +24000：￥25.213073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 96A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）